Research & Development
JSC continues to strengthen our technical capabilities and secure global competitiveness through advance development of future core technologies.
Development

More than [80]% of our R&D staff are memory specialists with over 10 years of experience. We have secured technologies in low-voltage operation, high-density packaging, and noise reduction for high-speed signals, and our capabilities are recognized through collaboration with leading chipset and memory companies.

R&D Achievements
R&D Achievements
Key Research AreasDevelopment YearRemarks
32M LP SDRAM2006년Development
16M Pseudo SDRAM2005년개발 및 양산개시
16M Pseudo SRAM2004년Start of mass production
16M Pseudo SRAM2003년Development
1M,2M,8M SRAM2003년개발 및 양산개시
4M SRAM2000년~2002년개발 및 양산개시
R&D Goals
  • 차세대 초저전력 회로 및 Architecturing 기법 개발

  • 고속 저전력 동작을 병행하는 회로 개발

  • System 환경 변동 인자 및 소자 Process 변화에 Robust한 장치 개발

  • 제품의 고양산성 및 고신뢰성 확보를 위한 Testability

  • 제품 경쟁력 확보를 위한 배치 및 Layout 연구

  • 다품종 소량 생산에 고효율성을 갖는 설계 기법 확보

  • 수탁 가공 생산에 최적화된 효율을 갖는 제품 설계 및 생산 기법 연구

  • Future Memory 회로 설계 기법 개발

공업소유권 현황
Registered Patents
Domestic Patents
0
Overseas Patents
0
Patent Applications
Domestic Patents
0
Overseas Patents
0